Тигель для рекристаллизации карбида кремния высокой твердости Капсула Sisic для полупроводниковой промышленности

Тигель для рекристаллизации карбида кремния высокой твердости Капсула Sisic для полупроводниковой промышленности

Тигель для рекристаллизации карбида кремния высокой твердости, капсула Sisic для полупроводниковой промышленности. Реак
Базовая информация
СертификацияИСО, ИСО9001
Формаквадрат
ЦветШварц
Огнестойкость1380
ВведитеТигель из карбида кремния
срок поставки25-30 дублей
СырьеТонер, силиконовый порошок
ПриложениеПромышленная керамика, огнеупоры, промышленные печи
Размеркак потребности клиента
использоватьПротив сильных кислот и щелочей
плотностьБолее 3,02 г/см3
Теплопроводность45 (1200 градусов Цельсия)
Твердость по шкале Мооса9.15
Викерсхарте Хв20 ГПа
Открытая пористостьМенее 0,1%
Кислото-щелочной устойчивыйОтличный
Транспортный пакетДеревянный футляр с мягкой пеной.
СпецификацияВ зависимости от количества заказа
товарный знакБД / По требованиям заказчика
ИсточникВэйфан, Китай
HS-код6903900000
Производственная мощность5000 штук/месяц
Описание продукта

Тигель для рекристаллизации карбида кремния высокой твердости Капсула Sisic для полупроводниковой промышленности

Реакционно-спеченный мешок Sisic отличается высокой термостойкостью, хорошей термостойкостью, малым коэффициентом расширения, коррозионной стойкостью, устойчивостью к отслаиванию, хорошей стойкостью к порошку и хорошей ползучестью при высоких температурах. А скорость теплопроводности высока, что обеспечивает равномерный нагрев продуктов, эффективно снижает потребление энергии, ускоряет скорость горения и повышает производительность. Он широко используется при спекании электронных компонентов, магнитных материалов и различных керамических порошков.

Характеристики:
Хорошая теплопроводность
Отличная устойчивость к перепадам температуры
Хорошая стойкость к окислению
Отличная кислотостойкость
Хорошая термостойкость
Хорошая устойчивость к высоким температурам

Фотографии для справки:

High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry


High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry

High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry

High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry


Спецификации

Статья

Данные

Температура нанесения

1380 °С

плотность

≥3,02 г/см³

Открытая пористость

<0,1 %

Предел прочности при изгибе

250 (20 °С) МПа

280 (1200 °С) МПа

модуль упругости

330(20°К)ГПа

300 (1200 °С) ГПа

Теплопроводность

45(1200°С)Вт/мк

Коэффициент теплового расширения

4,5 К-1х10-6

Жесткость

13

High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry